? ? 超級技術(shù)的MOSFET基于電荷補償原理，早在1998年就進入市場，在600V耐壓級別的應用范圍里形成一場革命。其最重要的優(yōu)點是它在寄生二極管的有源層中采用了垂直PN細條的三維結(jié)構(gòu)，它能維持相同的阻斷電壓，但是由于減小了垂直PN條的寬度，導通電阻得以成比例的減小。采用這個方法，單位面積導通電阻可降低5-10倍。在超級結(jié)技術(shù)產(chǎn)生之前，在600V耐壓級別應用領(lǐng)域不可避免地會使用具有優(yōu)良導通損耗的IGBT。而限于IGBT特有的拖尾電流和由此導致的開關(guān)損耗，開關(guān)頻率始終在20kHz以下。兩種當時主流的IGBT(PT和NPT)都存在這種拖尾電流。

　　改變這一現(xiàn)象的標志性技術(shù)進步由溝槽柵場終止結(jié)構(gòu)IGBT(toppower制造)和軟穿通結(jié)構(gòu)IGBT(ABB制造)實現(xiàn)。溝槽柵場終止結(jié)構(gòu)IGBT誕生于2000年，改進了IGBT的關(guān)斷拖尾電流波形。其后溝槽柵場終止結(jié)構(gòu)IGBT基于不同的應用場合被進一步優(yōu)化。優(yōu)化的IGBT工作在20kHz到40kHz的開關(guān)頻率應用于電焊機、太陽能逆變器和UPS方面。英飛凌于2010年發(fā)布了為高頻硬開關(guān)優(yōu)化的600V溝槽柵場終止結(jié)構(gòu)IGBT，又在2012年發(fā)布了一系列用于不同應用領(lǐng)域的溝槽柵場終止結(jié)構(gòu)IGBT。這些新型IGBT的誕生。

了解更多電源模塊信息請點擊http://m.79868.cn/news/industry.html

廣州頂源電子科技有限公司?

地 ?址：廣東省廣州市天河區(qū)科學城敬業(yè)三街7號玉樹工業(yè)園D棟

電 ?話：020-82019000

傳 ?真：020-82019111

郵 ?箱：sales@gztoppower.com

網(wǎng) ?站：http://m.79868.cn