布局相關(guān)效果

隨著工藝幾何尺寸的減小，引入了一種新型的可變性，統(tǒng)稱為“布局相關(guān)效應(yīng)”，簡稱 LDE。

LDE 的一個例子是設(shè)備靠近井邊緣。器件到阱邊緣的距離對器件的Vt（閾值電壓）有影響。原因是注入離子從用于限定阱的抗蝕劑側(cè)壁散射，從而使Vt增加了幾毫伏，甚至幾十毫伏。

圖1

 

圖2

 

布局相關(guān)效果圖。

擴散效應(yīng)長度

Vt 的變化不僅會引起失配效應(yīng)，還會引起顯著的性能變化。其他影響可能是由于硅中無意的應(yīng)力，例如由器件之間的淺溝槽隔離引起的。這種應(yīng)力會影響器件中的載流子遷移率，從而影響電流。這稱為“擴散長度”或 LOD 效應(yīng)，其中器件的特性根據(jù)其柵極與擴散邊緣的距離而變化。

要使用 LDE 效果進行設(shè)計，可以使用各種布局技術(shù)：

使用相似的擴散尺寸、形狀、方向

設(shè)備與井緣之間的距離較大

添加虛擬設(shè)備和/或虛擬多晶硅以使指狀設(shè)備更加平等

然而，設(shè)計的仿真需要早期布局以及寄生提取，以便能夠在仿真過程中對 LDE 效應(yīng)進行建模。所有這些都打破了現(xiàn)有的定制設(shè)計流程，傳統(tǒng)上，電路設(shè)計師將初步原理圖（可能使用估計的寄生參數(shù)進行模擬）交給布局工程師，然后布局工程師創(chuàng)建初始布局以提取真實的寄生參數(shù)。然后將其交回電路設(shè)計以優(yōu)化器件參數(shù)以滿足性能目標，并且通常需要多次布局/優(yōu)化迭代。