標(biāo)簽：堆棧
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高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進(jìn)存儲器的路線圖
發(fā)布時間：2022年01月15日，查看次數(shù)：356隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 （HAR） 刻蝕和極紫外 （EUV） 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。 增加3D NAND閃存存儲容量的一種方法是堆棧加層，但堆棧高度的增加會帶來更大的挑戰(zhàn)。雖然這些挑戰(zhàn)中很明顯的是結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性問題，但層 -
高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進(jìn)存儲器的路線圖
發(fā)布時間：2022年01月10日，查看次數(shù)：283隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 （HAR） 刻蝕和極紫外 （EUV） 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。 增加3D NAND閃存存儲容量的一種方法是堆棧加層，但堆棧高度的增加會帶來更大的挑戰(zhàn)。雖然這些挑戰(zhàn)中很明顯的是結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性問題，但層 -
老工程師分享：嵌入式開發(fā)技巧
發(fā)布時間：2017年12月05日，查看次數(shù)：881成為一個正式的工程師。它是一個艱辛的過程，需要開發(fā)人員維護(hù)和管理系統(tǒng)的每個比特和字節(jié)。從規(guī)范完善的開發(fā)周期到嚴(yán)格執(zhí)行和系統(tǒng)檢查，開發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)的技術(shù)有許多種。今天給大家介紹7個易操作且可以長久使用的技巧，它們對于確保系統(tǒng)更加可靠地運(yùn)行并捕獲異常行為大有幫助。技巧1——用已知值填充軟件開發(fā)人員往往都是非常樂觀的一群人，只要讓他們的代碼忠實地長時間地運(yùn)行就可以了，僅此而已。微控制器跳出應(yīng)用程序空間并在非預(yù)想的代碼空間中執(zhí)行這種情況似乎是相當(dāng)少有…
