標(biāo)簽：mosfet
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DC－DC 反激式電路的共模噪聲分析
發(fā)布時間：2022年03月12日，查看次數(shù)：350本系列文章的第 5 和第 6 部分[1-7]介紹有助于抑制非隔離 DC-DC 穩(wěn)壓器電路傳導(dǎo)和輻射電磁干擾 (EMI) 的實用指南和示例。當(dāng)然，如果不考慮電隔離設(shè)計，DC-DC 電源 EMI 的任何處理方式都不全面，因為在這些電路中，電源變壓器的 EMI 性能對于整體 EMI 性能至關(guān)重要。 特別是，了解變壓器繞組間電容對共模 (CM) 發(fā)射噪聲的影響尤其重要。共模噪 -
非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計
發(fā)布時間：2022年02月26日，查看次數(shù)：326離線反激式電源在變壓器初級側(cè)需要有鉗位電路（有時稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實現(xiàn)電壓鉗位，但在每個開關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對鉗位和功率開關(guān)采用互補驅(qū)動的有源鉗位技術(shù)，使得能效得 -
如何降低電路EMI
發(fā)布時間：2021年12月06日，查看次數(shù)：360開關(guān)電源小型化設(shè)計中，提高開關(guān)頻率可有效提高電源的功率密度。但隨著開關(guān)頻率提升，電路電磁干擾（EMI）問題使電源工程師面臨了更大的挑戰(zhàn)。本文以反激式開關(guān)拓?fù)錇槔?，從設(shè)計角度，討論如何降低電路EMI。 為提高開關(guān)電源的功率密度，電源工程師首先想到的辦法是選擇開關(guān)頻率更高的MOSFET,通過提高開關(guān)速度可以顯著地減小輸出濾波器體積，從 -
低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
發(fā)布時間：2021年10月31日，查看次數(shù)：310半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。 在為半導(dǎo)體器件電氣特點編制準(zhǔn)確的BG時，比如特殊的NANO-FETs，業(yè)內(nèi)的科研人員、科學(xué)家和工程師都面臨著一個共同的問題。當(dāng)需要證明能夠?qū)嶋H上以簡便的、可重復(fù) -
MOSFET器件選型的3大法則
發(fā)布時間：2021年10月31日，查看次數(shù)：307俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”。對于電子設(shè)計工程師，在項目開始之前、器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇Z適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。 功率MOSFET恐怕是工程師們Z常用的器件之一了，但你知道嗎？關(guān)于MOSFET的器件選型要考慮各方面的因素，小到選N型還是P型、封裝類型；大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需 -
低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
發(fā)布時間：2021年10月26日，查看次數(shù)：280半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。 在為半導(dǎo)體器件電氣特點編制準(zhǔn)確的BG時，比如特殊的NANO-FETs，業(yè)內(nèi)的科研人員、科學(xué)家和工程師都面臨著一個共同的問題。當(dāng)需要證明能夠?qū)嶋H上以簡便的、可重復(fù) -
低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
發(fā)布時間：2021年10月24日，查看次數(shù)：303半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。 在為半導(dǎo)體器件電氣特點編制準(zhǔn)確的BG時，比如特殊的NANO-FETs，業(yè)內(nèi)的科研人員、科學(xué)家和工程師都面臨著一個共同的問題。當(dāng)需要證明能夠?qū)嶋H上以簡便的、可重復(fù) -
LLC串聯(lián)諧振電路分析
發(fā)布時間：2021年08月24日，查看次數(shù)：449LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個基本條件： 1）上下開關(guān)管50%占空比，1800對稱的驅(qū)動電壓波形； 2）感性諧振腔并有足夠的感性電流； 3）要有足夠的死區(qū)時間維持ZVS。 圖a)是典型的LLC串聯(lián)諧振電路。圖 -
開關(guān)電源八大處損耗，講的太詳細(xì)了！
發(fā)布時間：2021年07月28日，查看次數(shù)：432能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗，雖然實際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率，但是，一個高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平，效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的工作效率可以在特定的工作條件下測得，數(shù)據(jù)資料中給出了這些參數(shù)。一般廠商會給出實際測量的結(jié)果，但我們只能對我們自己的數(shù)據(jù)擔(dān)保。圖1 給出了一個SMPS 降壓轉(zhuǎn)換器的電路實例，轉(zhuǎn)換效率可以達(dá) -
硬件入門，電路設(shè)計流程怎么走
發(fā)布時間：2021年06月10日，查看次數(shù)：379本文主要針對那些剛開始或準(zhǔn)備開始搞設(shè)計硬件電路的工程師， 別的硬件工程師看這篇文章就沒必要了。時光飛逝，離俺 初畫 塊電路已有3年。剛剛開始接觸電路板的時候，與你一樣，俺充滿了疑惑同時又帶著些興奮。在網(wǎng)上許多關(guān)于硬件電路的經(jīng)驗、知識讓人目不暇接。像信號完整性，EMI，PS設(shè)計準(zhǔn)會把你搞暈。別急，一切要慢慢來。 1）總體思路。 -
N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用
發(fā)布時間：2021年05月27日，查看次數(shù)：425電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS 的N溝道耗盡型功率MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢，以幫助設(shè)計人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些件。 -
工程師必讀開關(guān)電源MOS的8大損耗
發(fā)布時間：2021年05月12日，查看次數(shù)：460在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計算值和預(yù)計波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計算）。 MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分： 1、導(dǎo)通損耗Pon 導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負(fù)載電流（即漏源電流） IDS(on)(t) 在導(dǎo)通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。 導(dǎo)通損耗計算： 先通過計算得到 IDS(on)(t) 函數(shù)表達(dá)式并算出其有效值 IDS(on)… -
絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計之主要部件的選定－MOSFET相關(guān)(二)
發(fā)布時間：2021年04月21日，查看次數(shù)：459在“主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其1”中選定MOSFET Q1，接下來將建構(gòu)MOSFET外圍的電路。 首先，來重溫電路工作。以D4、R5、R6調(diào)整從IC的OUT（PWM輸出）端輸出的信號，讓MOSFET Q1能夠正確工作，然后再驅(qū)動MOSFET的柵極。MOSFET Q1開/關(guān)經(jīng)過整流且流向變壓器 T1 側(cè)的高電壓，將其電能傳送至二次側(cè)。Q1在ON時Ids流動，但因為并非無限制流動，是故利用R8檢測電流并加以限制。 首先，本稿決定調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動的電路、二極管 D4、電阻R5、R6，其次，決定限流和斜率補償上必要… -
絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計之主要部件的選定－MOSFET相關(guān)(一)
發(fā)布時間：2021年04月21日，查看次數(shù)：417變壓器的設(shè)計結(jié)束，接下來是開關(guān)元件，本節(jié)說明MOSFET Q1的選定和相關(guān)電路構(gòu)成。 初，根據(jù)開關(guān)電壓或電流等來選定MOSFET Q1。對此，本稿將說明“主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其1”。 接著決定調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動的電路、二極管 D4、電阻R5、R6，而且，決定限流和斜率補償上必要的電流檢測電阻R8。這部分將在“主要部件的選定－MOSFET相關(guān) 其2”中說明。 先說明此部分電路如何說明。以D4、R5、R6調(diào)整從IC的OUT（PWM輸出）端輸出的信號，讓MOSFET Q1能夠正確工作，然后再驅(qū)動… -
開關(guān)模式電源電流檢測：檢測電阻如何放置
發(fā)布時間：2021年03月04日，查看次數(shù)：499電流檢測電阻的位置連同開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的 值）和平均輸出電流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計算以及檢測電阻監(jiān)控電路看到的共模電壓。放置在降壓調(diào)節(jié)器高端對于降壓調(diào)節(jié)器，電流檢測電阻有多個位置可以放置。當(dāng)放置在頂部MOSFET的高端時（如圖1所 -
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢
發(fā)布時間：2020年12月14日，查看次數(shù)：511在過去的幾十年中，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)采取了許多措施來改善基于硅 MOSFET （parasitic parameters），以滿足開關(guān)轉(zhuǎn)換器(開關(guān)電源)設(shè)計人員的需求。行業(yè)效率標(biāo)準(zhǔn)以及市場對效率技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運而生, 如碳化硅場效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計人員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計要求。650V 碳化硅場效應(yīng)管器件在推出之后，可以補充之前只有 12… -
可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET，JFET的柵極驅(qū)動器
發(fā)布時間：2020年10月28日，查看次數(shù)：456伸縮門柵極驅(qū)動器?它的工作原理是什么?柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET，JFET等，因為如MOSFET有個柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導(dǎo)通。這就要求柵極驅(qū)動的柵極電流足夠大，能夠瞬時充滿MOSFET柵極電容。因此，柵極驅(qū)動就是起到驅(qū)動開關(guān)電源導(dǎo)通與關(guān)閉的作用。柵極驅(qū)動器工作柵極驅(qū)動器工作輸出電壓使開關(guān)管導(dǎo)迢并運行于開關(guān)狀態(tài)下。這種通過高壓穩(wěn)壓器自給供電的方法就是第節(jié)所介紹的動態(tài)自給電源的方法。管的源極接電流檢… -
電容電感的兼容性直接影響DC-DC電源模塊電壓轉(zhuǎn)換性能
發(fā)布時間：2016年01月05日，查看次數(shù)：1384? ? ? 作為,電源模塊m.79868.cn.規(guī)劃工程師的咱們都知道消費類電子職業(yè)運用最遍及的變換器之一是DC-DC降壓變換器。簡而言之，同步降壓變換器用于將電壓從較高的電平降至較低的電平。隨著業(yè)界轉(zhuǎn)向更高功能的平臺，電源變換器的能效變成規(guī)劃的一項要害思考要素。因而，主要的是了解同步降壓變換器的基礎(chǔ)知識，以及如何恰本地挑選電路元件。本來依據(jù)書本上的概念來說同步降壓變換器的概念簡單，它發(fā)生低于輸入電壓的穩(wěn)壓電壓，能夠供給大電流，一起將功率損耗降至最低。同步降…
