標(biāo)簽:mos管
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三極管和MOS管,二者的主要區(qū)別
發(fā)布時間:2021年09月23日,查看次數(shù):4071、工作性質(zhì):三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制. 2、成本問題:三極管便宜,mos管貴。 3、功耗問題:三極管損耗大。 4、驅(qū)動能力:mos管常用來電源開關(guān),以及大電流地方開關(guān)電路。 三極管比較便宜,用起來方便,常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。 MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。 M -
開關(guān)電源設(shè)計過程中的十個經(jīng)驗
發(fā)布時間:2021年09月21日,查看次數(shù):3291、整流橋并聯(lián) 在小功率設(shè)計中,一般很少用到整流橋的并聯(lián),但在某些大功率輸出的情況下,不想增添新的器件單個整流橋電流又不滿足輸入功率要求,就需要用到整流橋的并聯(lián)了,整流橋的并聯(lián)不能采用兩個整流橋各自整流后直流并聯(lián)的方式,也就是不能采用圖1的方式,因為整流橋沒有配對,單純靠自身的V-I特性,一般是無法均流的,這樣就會造成兩個 -
開關(guān)電源設(shè)計之MOS管驅(qū)動電路
發(fā)布時間:2021年09月02日,查看次數(shù):466MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。 一、電源IC直接驅(qū)動 電源IC直接驅(qū)動是很簡單的驅(qū)動方式,應(yīng)該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。 ①查看電源IC手冊的很大驅(qū)動峰值電流,因為不同芯片,驅(qū)動能力很多時候是不一樣的。 -
為什么MOS管要并聯(lián)個二極管有什么作用?mos管并聯(lián)二極管的作用深度分析
發(fā)布時間:2021年08月05日,查看次數(shù):720下圖是NMOS的示意圖,從圖中紅色框內(nèi)可以看到,MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管,有人說這個二極管是寄生二極管,有人說是體二極管,究竟哪個說法準(zhǔn)確呢?很多同學(xué)也非常好奇:為什么要并聯(lián)這個二極管?是否可以刪除呢? mos管并聯(lián)二極管的作用 這要從MOS的工藝和結(jié)構(gòu)說起,不管是MOS還是二極管,都是由半導(dǎo)體材料構(gòu)成,我們都知道二極管 -
單端變壓器耦合MOS管驅(qū)動電路
發(fā)布時間:2021年08月01日,查看次數(shù):413mos管隔離驅(qū)動電路,如果驅(qū)動高壓MOS管,我們需要采用變壓器驅(qū)動的方式和集成的高邊開關(guān)。這兩個解決方案都有自己的優(yōu)點和缺點,適合不同的應(yīng)用。集成高邊驅(qū)動器方案很方便,優(yōu)點是電路板面積較小,缺點是有很大的導(dǎo)通和關(guān)斷延遲。變壓器耦合解決方案的優(yōu)點是延遲非常低,可以在很高的壓差下工作。常它需要更多,缺點是需要很多的元件并且對變壓 -
MOS管被ESD擊穿?如何改善?
發(fā)布時間:2021年07月29日,查看次數(shù):583大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。 然而MOS管卻又是一個ESD靜電極具敏感器件,它本身的輸入電阻很高。而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電;又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。 01 MOS管本身的輸 -
如何設(shè)計防反接保護(hù)電路
發(fā)布時間:2015年03月06日,查看次數(shù):1557如何設(shè)計防反接保護(hù)電路?防反接保護(hù)電路1,通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺崿F(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1示:這種接法簡單可靠,但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達(dá)到2A,如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管 MUR3020PT,額定管壓降為0.7V,那么功耗至少也要達(dá)到:Pd=2A×0.7V=1.4W,這樣效率低,發(fā)熱量大,要加散熱器。2,另外還可以用二極管橋?qū)斎胱稣鳎@樣電路就永遠(yuǎn)有正確的極性(圖2)。這些方案的缺點是,二極管上的壓降會消… -
設(shè)計電源模塊時應(yīng)從哪方面規(guī)劃熱設(shè)計
發(fā)布時間:2015年11月12日,查看次數(shù):1072? ? 電源模塊的表面,熱乎乎的,模塊燒壞了!有一點發(fā)熱是正常的,因為它正努力地運(yùn)行著。但高溫對電源模塊的可靠性 能影響極其大!我們須致力於做好熱設(shè)計,減小電源表面和內(nèi)部器件的溫升。這一次,我們來談?wù)撾娫茨K的熱設(shè)計。高溫對功率密度高的電源模塊的可靠性能影響極大。高溫會導(dǎo)致電解電容的使用壽命降低,變壓器漆包線的絕緣特性降低,晶體管損壞,材料熱老化,焊點脫落等情況。具toppower統(tǒng)計數(shù)據(jù),電子元件溫度每升高1.5℃,可靠性下降8.5%。對於電源模塊的熱設(shè)計,它包… -
電源模塊熱設(shè)計
發(fā)布時間:2016年01月27日,查看次數(shù):1159高溫對功率密度高的電源模塊的使用可靠性影響非常大。高溫會影響電解電容的使用壽命,變壓器漆包線的絕緣特性下降,晶體管損壞,材料熱老化,焊點脫落等現(xiàn)象。有數(shù)據(jù)統(tǒng)計,電子元件溫度每升高2℃,可靠性下降10%。對于電源模塊的熱設(shè)計,它包括兩個層面:降低損耗和改善散熱條件。一、元器件的損耗 ?損耗是產(chǎn)生熱量的直接原因,降低損耗是降低發(fā)熱的根本。市面上有些廠家把發(fā)熱元件包在模塊內(nèi)部,使得熱量散不出去,這種方法有點自欺欺人。降低內(nèi)部發(fā)熱元件的損耗和溫升才是硬道理。電… -
SEPIC變換器的高功率因數(shù)LED照明電源設(shè)計
發(fā)布時間:2018年02月28日,查看次數(shù):8971、驅(qū)動電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制方式LED需要的驅(qū)動電源,由交流電整流后再直直變換得到,整流電路通常采用二極管橋式整流并用電解電容進(jìn)行濾波,這種方式功率因數(shù)比較低,對電網(wǎng)帶來較大的諧波污染,通過有源功率因數(shù)校正電路減小諧波對電網(wǎng)的污染,因此電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)要能夠較好的實現(xiàn)PFC,同時損耗也是需要考慮的重要因素,最后LED的電源通常都需要封閉起來,變換器的尺寸也受到限制。因此選擇的變換器應(yīng)具有以下優(yōu)點:器件少,高效率,尺寸小。常用的有源功率因數(shù)校正的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有BOOST,… -
MOSFET設(shè)計開關(guān)電源之驅(qū)動電路的設(shè)計
發(fā)布時間:2018年03月29日,查看次數(shù):959因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。的驅(qū)動常根據(jù)和的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。頂源電子自主研發(fā)、生產(chǎn)的隔離電源模塊已有近20年的行業(yè)積累。在使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設(shè)計方案。更細(xì)致的,MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET,其驅(qū)動電路,驅(qū)動腳輸出的峰值電流…