標(biāo)簽：存儲(chǔ)器
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高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線(xiàn)圖
發(fā)布時(shí)間：2022年01月15日，查看次數(shù)：356隨著市場(chǎng)需求推動(dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 （HAR） 刻蝕和極紫外 （EUV） 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來(lái)三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。 增加3D NAND閃存存儲(chǔ)容量的一種方法是堆棧加層，但堆棧高度的增加會(huì)帶來(lái)更大的挑戰(zhàn)。雖然這些挑戰(zhàn)中很明顯的是結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性問(wèn)題，但層 -
高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線(xiàn)圖
發(fā)布時(shí)間：2022年01月10日，查看次數(shù)：283隨著市場(chǎng)需求推動(dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 （HAR） 刻蝕和極紫外 （EUV） 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來(lái)三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。 增加3D NAND閃存存儲(chǔ)容量的一種方法是堆棧加層，但堆棧高度的增加會(huì)帶來(lái)更大的挑戰(zhàn)。雖然這些挑戰(zhàn)中很明顯的是結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性問(wèn)題，但層 -
存儲(chǔ)器市場(chǎng)下半年將進(jìn)入遲緩期
發(fā)布時(shí)間：2014年09月01日，查看次數(shù)：1340存儲(chǔ)器市場(chǎng)下半年將進(jìn)入遲緩期2014年上半表現(xiàn)良好的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)，下半年恐烏云密布。 7月以來(lái)大陸智能型手機(jī)市場(chǎng)需求縮水，又接連傳來(lái)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的設(shè)備投資消息，讓供給過(guò)剩的憂(yōu)慮日漸升高，而專(zhuān)家之間對(duì)市場(chǎng)展望的正反面意見(jiàn)紛歧。據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，日前的業(yè)界消息傳出，存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)上半年達(dá)到高點(diǎn)，下半年恐將進(jìn)入成長(zhǎng)遲緩期。主要原因?yàn)榇箨懼悄苄褪謾C(jī)市場(chǎng)，2014年上半為止都保持陡峭的上升曲線(xiàn)，帶動(dòng)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的需求，然而7月之后成長(zhǎng)趨勢(shì)漸緩。大陸智能型手機(jī)受到5月起縮…
