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熱電發(fā)電機(jī)越來越受到研發(fā)關(guān)注

熱電發(fā)電機(jī) (TEG) 利用熱量(或更準(zhǔn)確地說,溫差)和眾所周知的塞貝克效應(yīng)來發(fā)電。它們的應(yīng)用范圍從收集可用熱能,尤其是在工業(yè)和其他情況下“浪費(fèi)”的熱能,到在放射性同位素?zé)岚l(fā)電機(jī) (RTG) 中使用航天器的放射性電源作為熱電能轉(zhuǎn)換器。

基于 TEG 的 RTG 使用钚 238 的自然衰變熱。自 1961 年以來,它們幾乎被用于每太空任務(wù)(見參

熱電發(fā)電機(jī) (TEG) 利用熱量(或更準(zhǔn)確地說,溫差)和眾所周知的塞貝克效應(yīng)來發(fā)電。它們的應(yīng)用范圍從收集可用熱能,尤其是在工業(yè)和其他情況下“浪費(fèi)”的熱能,到在放射性同位素?zé)岚l(fā)電機(jī) (RTG) 中使用航天器的放射性電源作為熱電能轉(zhuǎn)換器。

基于 TEG 的 RTG 使用钚 238 的自然衰變熱。自 1961 年以來,它們幾乎被用于每太空任務(wù)(見參考資料)以及遠(yuǎn)程地球應(yīng)用。與太空中高度可見、外觀干凈、經(jīng)常令人眼花繚亂的太陽能電池板相比,它們并沒有引起太多關(guān)注,但現(xiàn)實(shí)是,太陽能電池板本身無法提供足夠的電力,即使對于許多軌道運(yùn)行或靠近-地球任務(wù)。電化學(xué)電池的選擇是行不通的,因?yàn)樗鼈冊跇O冷的太空中不起作用,如果沒有太陽能加熱效應(yīng),太空的溫度約為 2.7 K。

與大多數(shù)能量收集換能器和裝置一樣,TEG 原則上似乎是個(gè)好主意,因?yàn)槟鷰缀醪换ㄒ环皱X就能得到一些有價(jià)值的東西。然而,在實(shí)踐中,它們有幾個(gè)缺點(diǎn):它們相對難以制造(尤其是批量生產(chǎn)),而且效率低下(大約 10%)。這個(gè)效率數(shù)字雖然很低,但在熱量會(huì)被浪費(fèi)或沒有其他可行選擇的情況下通常是可以接受的。

我們通常將塞貝克效應(yīng)與雙金屬結(jié)熱電偶和溫度測量聯(lián)系起來,而不是與能量捕獲聯(lián)系起來。事實(shí)上,許多熱回收 TEG 設(shè)備使用由碲化鉍 (Bi 2 Te 3 )、碲化鉛 (PbTe)、氧化鈣錳 (Ca 2 Mn 3 O 8 ) 以及其他材料制成的高摻雜半導(dǎo)體,具體取決于應(yīng)用和溫度。

TEG 的另一個(gè)問題是它們難以大量生產(chǎn)并且難以廉價(jià)生產(chǎn)。正如兩個(gè)截然不同的項(xiàng)目清楚地表明的那樣,這些缺點(diǎn)也促使研究人員了解在他們的材料和生產(chǎn)過程中可以進(jìn)行哪些增強(qiáng)或改進(jìn)。

項(xiàng)目一

圣母大學(xué)(印第安納州)的研究人員領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)解決了 TEG 通常缺乏高通量處理方法的問題,因此他們開發(fā)了一種更快的方法來創(chuàng)建高性能設(shè)備。他們使用機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)來優(yōu)化快速燒結(jié)熱電材料,同時(shí)保持其高熱電性能,圖 1。

圖 1研究人員使用了一個(gè)三階段交互過程,首先是 (i) 激光驅(qū)動(dòng)燒結(jié),然后是 (ii) 熱電性能評估,然后是 (iii) 貝葉斯優(yōu)化,回到 (i)。資料:圣母大學(xué)

新工藝使用強(qiáng)脈沖光在不到一秒的時(shí)間內(nèi)燒結(jié)熱電材料,而傳統(tǒng)的熱爐燒結(jié)可能需要數(shù)小時(shí)。該團(tuán)隊(duì)通過使用機(jī)器學(xué)習(xí)來確定超快但復(fù)雜的燒結(jié)過程的條件,從而加快了這種將納米顆粒墨水轉(zhuǎn)化為柔性設(shè)備的方法。

他們整合了高通量實(shí)驗(yàn)和貝葉斯優(yōu)化 (BO),以使用超快強(qiáng)脈沖光(閃光)燒結(jié)技術(shù)加速發(fā)現(xiàn)銀-硒化物 TE 薄膜的燒結(jié)條件。由于閃光燒結(jié)過程的高維優(yōu)化問題的性質(zhì),高斯過程回歸 (GPR) 機(jī)器學(xué)習(xí)模型用于根據(jù)貝葉斯預(yù)期改進(jìn)快速推薦閃光燒結(jié)變量,圖2。

圖 2特征的特征-特征相關(guān)矩陣指導(dǎo)改進(jìn)過程。資料:圣母大學(xué)

他們生產(chǎn)了一種柔性 TE 薄膜,具有 2205 μW/m – K 2的超高功率因數(shù),在 300 K 時(shí)的zT為 1.1;zT是無量綱品質(zhì)因數(shù),其中zT = S 2 ρ 1 κ 1 T,由塞貝克系數(shù) (S)、電阻率 (ρ) 和熱導(dǎo)率 (κ) 計(jì)算得出。燒結(jié)時(shí)間不到一秒,比傳統(tǒng)的熱燒結(jié)技術(shù)短了幾個(gè)數(shù)量級。

這些薄膜還表現(xiàn)出出色的柔韌性,在彎曲半徑為 5 毫米的一千次彎曲循環(huán)后功率因數(shù) (PF) 保持率為 92%,圖3。此外,基于閃光燒結(jié)薄膜的可穿戴熱電發(fā)電機(jī)在 10 K 的溫差下可產(chǎn)生極具競爭力的 0.5 mW/cm 2功率密度。

圖 3閃光燒結(jié)薄膜在不同彎曲角度下的柔韌性測試證明了薄膜的彈性和壽命。資料:圣母大學(xué)

他們相信,機(jī)器學(xué)習(xí)輔助的超快閃光燒結(jié)將使生產(chǎn)高性能設(shè)備的速度比目前快得多,成本也低得多。這項(xiàng)工作在他們發(fā)表在《能源與環(huán)境科學(xué)》雜志上的12 頁論文“機(jī)器學(xué)習(xí)輔助的高性能和柔性銀-硒化物熱電設(shè)備的超快閃光燒結(jié)”中進(jìn)行了詳細(xì)描述;還有一個(gè)已發(fā)布的 17 頁補(bǔ)充信息文件,其中提供了額外的見解和信息。

項(xiàng)目2

的卡爾斯魯厄理工學(xué)院(KIT)(德國)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種使用可印刷熱電聚合物和復(fù)合材料生產(chǎn) TEG 的方法,采用低成本、全絲網(wǎng)印刷的柔性設(shè)計(jì)。他們使用獨(dú)特的兩步“折紙式”折疊技術(shù),利用基于 PEDOT [聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)] 納米線的熱電油墨,將 2D 布局打印在薄的柔性基板上,從而生產(chǎn)出機(jī)械穩(wěn)定的 3D 立方體設(shè)備和 TiS 2:己胺絡(luò)合物材料,圖 4。

圖 4制造和折疊技術(shù)的詳細(xì)信息。[黃色:n型材料,藍(lán)色:p型材料,灰色:襯底材料。箭頭表示由于施加的溫差(熱端:紅色,冷端:青色)而流經(jīng)器件的電流。虛線箭頭表示折疊程序。] a) 四個(gè)熱電偶在基板上的二維布局,帶有額外的未印刷基板條。b) 帶有四個(gè)熱電偶的折紙折疊 TEG,帶有用于熱電偶電絕緣的鑲嵌基板材料。資料:卡爾斯魯厄理工學(xué)院

該設(shè)備的架構(gòu)通過使用薄基板作為熱電元件之間的電絕緣體,使熱電偶密度達(dá)到每平方厘米 190 個(gè)單位,從而在 30 K 的溫差下產(chǎn)生 47.8 W/cm 的高功率輸出。器件屬性可通過印刷布局進(jìn)行調(diào)整,TEG 的熱阻抗可在幾個(gè)數(shù)量級上進(jìn)行調(diào)整,從而使熱阻抗能夠與任何熱源相匹配,圖5。

圖 5 a) 具有 254 個(gè) p 型腿(藍(lán)色)和 253 個(gè) n 型腿(黃色)(綠色:重疊區(qū)域)的折紙 TEG 的二維打印布局,以 13 列 x 39 行的棋盤圖案排列。b) 以 TiS 2作為 n 型材料和 PEDOT 作為 p 型材料的絲網(wǎng)印刷 TEG,具有通過書法沉積的 PEDOT 擴(kuò)展接觸場。c) 堆疊所有列的折疊步驟加上一條額外的基材條。d) 完全折疊的熱電帶。e) 熱電帶在折線處折皺。f) 用 Kapton 絲帶固定的完全折疊的熱電發(fā)電機(jī)。資料:卡爾斯魯厄理工學(xué)院

他們在各種條件下測試了這些裝置,圖 6。功率點(diǎn) (MPP) 的輸出功率足以為低功率電子電路供電。當(dāng)ΔT = 60 K 時(shí),輸出功率隨 Δ Τ 增加而達(dá)到 243 W。即使 Δ T = 30 K,該器件也會(huì)產(chǎn)生P MPP = 63.4 W 和開路電壓V oc = 534 mV,對應(yīng)于功率密度為 47.8 W/cm 2而內(nèi)阻為 1124 Ω。

圖 6 a) 打印后(淺色)和折紙折疊后(深色)展開的器件內(nèi)部電阻直方圖。b) 使用兩個(gè)銅塊作為熱觸點(diǎn)的 TEG 表征設(shè)置。c) TEG #6 的開路電壓與施加的溫差。d) TEG #6 不同應(yīng)用溫差下的 I-V 特性和輸出功率與電壓的關(guān)系。e) TEG #6 不同應(yīng)用溫差下的輸出功率與電氣負(fù)載的關(guān)系。f) 在 T = 30 K 時(shí)所有生產(chǎn)的 TEG 的輸出功率和開路電壓的直方圖。

 

 


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