談到ESD防護，應(yīng)用最廣泛的是ESD/TVS管，對于正負4KV的pin腳不上電ESD測試，也可以僅僅依靠nf級電容完成ESD防護。下面以一篇實際案例進行說明。

實驗要求：正負4KV對產(chǎn)品connector的Pin腳進行ESD測試，connector中的地腳接地；

ESD實驗前后RCL值不大于10%。

實驗現(xiàn)象：發(fā)現(xiàn)有個別pin實驗前后的RCL差值超出了10%。

現(xiàn)象分析：對比實驗pass和實驗fail的pin腳接口電路發(fā)現(xiàn)，能夠通過實驗的都是接口有10nf電容（無ESD管/TVS管），未通過實驗的都是接口未添加任何保護電路的（接口是三極管的基級輸入，查了三極管規(guī)格書，是可以通過HBM模式下的4KV的管腳ESD測試，但是實驗還是失效了），于是給未通過該項測試的pin腳加入10nf對地電容，重新測試該項實驗，實驗通過。

問題分析：

根據(jù)國際標準靜電放電的電流標準模型為：

電流具有小于1ns的上升沿，通過上升沿跟最大帶寬的計算公式0.35/tr，可得最大帶寬約為500MHz。

靜電產(chǎn)生的輻射場是由放電電流產(chǎn)生的輻射電磁場，根據(jù)人體-金屬模型，接觸放電時的波形和頻譜圖如下所示：

從頻譜圖可以看出頻率的峰值是40MHz左右。對比電容諧振特性曲線圖：

發(fā)現(xiàn)10nf電容對應(yīng)的諧振點最為接近40MHz，所以最終選擇10nf的電容。

查閱相關(guān)資料，因為電容的耐壓值限制，Q=CU，在放電等級很高的情況下，是可能導致電容放電失效的，網(wǎng)上的說法是不能高于4KV（HBM模型）。

思考總結(jié)：

1.接口的保護電路，對于ESD放電等級要求不高的情況下，可以考慮僅僅使用電容保護，優(yōu)點是價格便宜；

2.對于高速信號的接口電路，10nf的電容可能就不一定適用了；

3.對于芯片datasheet中的ESD放電等級一定要通過實驗進行驗證。

以上僅是個人的一些見解，歡迎大家提出寶貴建議，多多交流，謝謝。