近日，內(nèi)蒙古大學(xué)王蕾研究員帶領(lǐng)的科研團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體抗光腐蝕研究方面取得新進(jìn)展，“鈍化層助力BiVO4抗光腐蝕研究”的相關(guān)成果已在國(guó)際化學(xué)期刊《德國(guó)應(yīng)用化學(xué)》發(fā)表。

據(jù)科技日?qǐng)?bào)報(bào)道，王蕾研究員表示，半導(dǎo)體較低的光吸收率和較高的載流子復(fù)合率是影響轉(zhuǎn)換效率的首要因素，因此，如何提高光電轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)前光電催化研究領(lǐng)域的重中之重。

科研團(tuán)隊(duì)通過改善材料制備工藝以及恒電位光極化測(cè)試方法，有效提高了BiVO4活性及穩(wěn)定性。

研究表明，無表面助催化劑修飾下的BiVO4在間歇性測(cè)試下，可以達(dá)到100小時(shí)的穩(wěn)定性，表現(xiàn)出超強(qiáng)的“自愈”特性。

此外，電化學(xué)測(cè)試顯示，半導(dǎo)體表界面產(chǎn)生的鈍化層和氧空位協(xié)助作用，有效減小了半導(dǎo)體電子與空穴復(fù)合，提高了表面水氧化動(dòng)力學(xué)，從而抑制了光腐蝕。

目前，該項(xiàng)目已經(jīng)得到國(guó)家自然科學(xué)基金等多個(gè)項(xiàng)目的認(rèn)可支持。