如何采用零電壓消除米勒效應(yīng)。在設(shè)計(jì)電源時(shí)，工程師常常會(huì)關(guān)注與MOSFET導(dǎo)通損耗有關(guān)的效率下降問(wèn)題。在出現(xiàn)較大RMS電流的情況下，比如轉(zhuǎn)換器在非連續(xù)導(dǎo)電模式（DCM）下工作時(shí)，若選擇Rds（on）較小的MOSFET，芯片尺寸就會(huì)較大，從而輸入電容也較大。也就是說(shuō)，導(dǎo)通損耗的減小將會(huì)造成較大的輸入電容和控制器較大的功耗。當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率提高時(shí)，問(wèn)題將變得更為棘手。

圖1是MOSFET導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的典型柵電流圖。在導(dǎo)通期間，流經(jīng)控制器Vcc引腳的峰值電流對(duì)Vcc充電；在關(guān)斷期間，存儲(chǔ)的電流流向芯片的接地端。如果在相應(yīng)的面積上積分，即進(jìn)行篿gate（t）dt，則可得到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電荷Qg 。將其乘以開(kāi)關(guān)頻率Fsw，就可得到由控制器Vcc提供的平均電流。因此，控制器上的總開(kāi)關(guān)功率（擊穿損耗不計(jì)）為：

Pdrv = Fsw×Qg×Vcc （1）

如果使用開(kāi)關(guān)速度為100kHz 的12V控制器驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姾蔀?00nC的MOSFET，驅(qū)動(dòng)器的功耗即為100nC×100kHz×12V=10mA×12V=120mW （2）

圖2 MOSFET中的寄生電容

MOSFET的物理結(jié)構(gòu)中有多種寄生單元，而其中起關(guān)鍵作用的是電容，具體見(jiàn)圖2。產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中的三個(gè)參數(shù)采取如下定義：當(dāng)源-漏極短路時(shí)，令Ciss=Cgs+Cgd；當(dāng)柵-源極短路時(shí)，