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電源模塊中的電容應(yīng)該選擇什么樣的!

開關(guān)電源用于對這些電源進行操控,由于具有顯著長處,開關(guān)電源已成為大有些電子商品的規(guī)范電源。電容可用來削減紋波并吸收開關(guān)穩(wěn)壓器發(fā)生的噪聲,它還能夠用于后級穩(wěn)壓,進步設(shè)備的穩(wěn)定性和瞬態(tài)呼應(yīng)才能。電源輸出中不該呈現(xiàn)任何紋波噪聲或殘留顫動。這些電路常選用鉭電容來下降紋波,但鉭電容有也許遭到開關(guān)穩(wěn)壓器的噪聲影響而發(fā)生不安全的瞬變現(xiàn)象。

為保證可靠作業(yè),有必要下降鉭電容的額外電壓。例如,額外值為10uF/35V的D型鉭電容,作業(yè)電壓應(yīng)下降到17V,假如用在電源輸入端過濾紋波,額外35V鉭電容可在高達17V的電壓導(dǎo)軌上可靠地作業(yè)。

高壓電源總線體系一般很難到達額外電壓下降50%的目標(biāo)。這種狀況約束了鉭電容用于電壓導(dǎo)軌大于28V的運用?,F(xiàn)在,由于鉭電容需求被降額運用,高壓濾波運用僅有可行的辦法是選用體積較大且?guī)б€的電解電容,而不是鉭電容。

新式鉭電容

為處理下降額外電壓的疑問,Vishay研發(fā)部門開發(fā)出了具有更高額外電壓等級的新系列SMD固體鉭電容器,額外電壓高達75WVDC.50V額外電壓電容在28V以及更高電壓導(dǎo)軌中的運用引起了規(guī)劃人員的憂慮,而選用Vishay新式的63V和75V鉭電容,可到達額外電壓下降50%的職業(yè)認可安全目標(biāo)。電介質(zhì)成形更薄、更共同,使SMD固體鉭電容的額外電壓能夠到達75V,然后完成了進步額外電壓的技能打破。成形技能中對多道工序進行了改善:下降了成形加工過程中發(fā)生的機械應(yīng)力會集,下降了電容成形過程中電解液的局部過熱,進步了電介質(zhì)成形過程中電解液濃度和純度的共同性。新式電容T97系列的額外電壓達75V,83系列達63V。

無線感應(yīng)耦合充電

很多的感應(yīng)充電器選用返馳式轉(zhuǎn)換器。感應(yīng)充電為醫(yī)療設(shè)備電池供給充電電能,一起,感應(yīng)充電器也被用于很多的便攜式設(shè)備(如牙刷)中。

減小充電電池尺度有助于減小選用無線感應(yīng)充電電路的植入式醫(yī)療設(shè)備的體積。無線感應(yīng)充電器可為設(shè)備上裝置的細小薄膜(如 CymbetEnerChip)充電式儲能器材安全地充電。感應(yīng)充電器選用了并聯(lián)LC(電感、電容)諧振儲能電路的作業(yè)原理。

Vishay595D系列1000uF鉭電容被用作Cymbet接納電路板的C5電容,為無線電發(fā)射等負載供給脈沖電流。此款感應(yīng)充電器的輸入與輸出之間具有杰出的阻隔,這是醫(yī)用設(shè)備的重要請求。

在一些電壓較高的感應(yīng)充電器運用中,需求選用高壓穩(wěn)定的電容作為諧振電容。由于感應(yīng)充電器的初級線圈需求選用溝通電壓驅(qū)動,因而有必要對電容進行相應(yīng)的調(diào)整。感應(yīng)充電器需求具有高擊穿電壓(VBD)性能,一起,某些運用中還需求防護高壓電弧放電。為防止電弧放電,電路板一般敷有維護涂層,或者經(jīng)過合理安排元器材規(guī)劃到達高壓側(cè)與電路板別的有些阻隔的作用等。但這種辦法一般需求很大的電路板空間,由于高壓電路一般選用體積較大的引線型通孔插裝電容。
高壓電弧防護電容處理方案

為處理這一疑問,Vishay推出了一系列的HVArc(高壓電弧)防護MLCC(多層貼片陶瓷電容),可防止電弧放電,一起節(jié)約空間。這些新器材在較高的電壓定額內(nèi)具有最大容量,而且進步了電壓擊穿的耐受才能。高壓電弧放電會形成斷路,并有也許損壞別的元器材。規(guī)范的高壓SMD電容終究將會失效短路,這取決于電弧放電的次數(shù)和存在疑問的有些。VishayHVArc防護電容能夠吸收所有的能量,因而,此電容能夠在高壓下進行正常作業(yè),至少在到達高壓擊穿極限之前,不會發(fā)生破壞性電弧放電。

HVArc防護電容的VBD散布由器材選用的獨特規(guī)劃來操控,VBD可達3kV或以上。本商品選用了NPO和X7R電介質(zhì)。

用于MRI的新式無磁電容

磁共振成像(MRI)設(shè)備內(nèi)部或周邊電路中所運用的電容及別的電子元器材需求屏蔽或封裝在MRI室外。電容的電介質(zhì)、電極資料或端接資猜中也許富含鐵質(zhì)或磁性資料。為進步圖畫分辨率,MRI體系的磁場水平不斷進步,而MRI室內(nèi)運用的電容會形成磁場畸變。因而,需求削減或徹底消除大有些電容中的磁性資料。

最新推出的系列MLCC在電極和端接構(gòu)造中選用非鐵資料,來滿意消除磁化的請求。無磁構(gòu)造能夠選用X7R和NPO電介質(zhì)。外形尺度為0402至1812,契合EIA標(biāo)準(zhǔn)。Vishay還在終究測驗時選用了專用電容分選設(shè)備,以保證所有無磁電容均能契合技能請求。

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