確保多重 FPGA 電軌依正確順序關(guān)閉，跟確保開機(jī)程序是否正確一樣重要，可避免裝置因電壓狀態(tài)無法判斷而提早出現(xiàn)故障。

電源定序的安全考慮

在啟動(dòng)目前的大型系統(tǒng)單芯片 FPGA 的多重電軌時(shí)，有許多技巧可用來控制其啟動(dòng)順序和時(shí)序。遵照裝置制造商所指定的正確順序甚為重要，如此可避免裝置抽取過多電流而導(dǎo)致?lián)p壞。

有些方法是透過操縱各轉(zhuǎn)換器的電源良好輸出，來控制順序中下一個(gè)供應(yīng)的 Enable 腳位。如需要繼電器，可插入電容器。另一種類似的方式則是使用重置 IC，在前一個(gè)供電達(dá)到所要求的電壓后啟動(dòng)下一個(gè)轉(zhuǎn)換器。每種方法都有一些缺點(diǎn)，且這些方法都無法控制電源關(guān)閉的順序。依正確的相反順序關(guān)閉電軌，跟開啟電源順序是否正確一樣重要，都是為了確保裝置能安全運(yùn)作。

使用專用的電源定序 IC，則更能穩(wěn)定確保其順序正確。IC 可程序化，在所要的時(shí)間點(diǎn)分別傳送 Enable 訊號(hào)。圖 1 顯示多信道序列發(fā)生器如何管理 FPGA 核心邏輯、周邊和 I/O 電域。即使如此，電源關(guān)閉順序仍舊難以控制，因?yàn)槊總€(gè)電軌上的去耦合電容器在轉(zhuǎn)換器關(guān)閉后仍可能殘留電荷，且殘留時(shí)間不一定，而每個(gè)電軌最多可能連接多達(dá) 20mF 的總?cè)ヱ詈想娙荨?/p>

圖 1. 透過定序 IC 管理 FPGA 電軌。

電源關(guān)閉控制

使用具有已知時(shí)間常數(shù)的電路，主動(dòng)將去耦合電容器放電，序列發(fā)生器便能維持正確的電源關(guān)閉順序，其做法是在串聯(lián)的電容器中暫時(shí)插入放電電阻器。圖 2 顯示如何在加入最少必要組件下，使用一對(duì)細(xì)心挑選的 MOSFET 將電阻器插入電路中。

電源序列發(fā)生器的 EN 輸出連接到 DC-DC 穩(wěn)壓器的 Enable 腳位，也連接到 P 通道 MOSFET (Q1) 的閘極。序列發(fā)生器輸出降低停用 DC-DC 穩(wěn)壓器時(shí)，Q1 便會(huì)反轉(zhuǎn)訊號(hào)，開啟 N 信道 MOSFET Q2。開啟時(shí)，Q2 會(huì)透過 R2 電阻使 15mF 去耦合電容器放電到接地。

圖 2. 控制電源定序的主動(dòng)放電電路。

圖中的電路假設(shè) DC-DC 穩(wěn)壓器在提供關(guān)機(jī)訊號(hào)后無法持續(xù)產(chǎn)生輸出。假如 DC-DC 穩(wěn)壓器的輸出能在收到關(guān)機(jī)指令后持續(xù)供應(yīng)電源，則需要額外的繼電器才能啟動(dòng)放電電路。

選擇的 R2 值必須能確保適當(dāng)?shù)姆烹姇r(shí)間，讓序列發(fā)生器能在可接受的時(shí)間間隔內(nèi)完成關(guān)機(jī)。另外還要注意的是，電阻必須夠大，才能避免電流尖峰值上升率過快，避免引發(fā) EMI 問題，以及對(duì) Q2 和去耦合電容器組造成瞬態(tài)熱應(yīng)力。實(shí)務(wù)上，選擇 R2 值時(shí)需考慮一些額外的重要參數(shù)，像是 Q2 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 和電容器組的等效串聯(lián)電阻 (ESR)。

選擇 MOSFET Q1 時(shí)應(yīng)參考電源序列發(fā)生器的輸出電壓閾值。所選的裝置應(yīng)有夠高的閘極閾值電壓 (VGS(th))，確保序列發(fā)生器輸出為高電位時(shí)能保持關(guān)閉，但要注意的是，VGS(th) 會(huì)隨接面溫度上升而下降。本范例中選擇的序列發(fā)生器操作供應(yīng)電壓為 5V，最小指定高電位輸出電壓為 4.19V。Q1 的 VGS(th) 在 60°C 環(huán)境操作溫度下必須大于 0.9V，以確保運(yùn)作正常。此外，閘極應(yīng)使用 100k? 電阻下拉至源極電位，以避免誤開。查看 MOSFET 數(shù)據(jù)表中 VGS(th) 與溫度的標(biāo)準(zhǔn)化曲線，顯示 Diodes 公司的 ZXMP6A13F 符合要求：保證最小 VGS(th) 在室溫下為 1V，到 60°C 則下降至 0.9V 左右。

在此范例中，我們假設(shè)序列發(fā)生器必須在 100ms 內(nèi)關(guān)閉總共 10V 的電軌。因此，每個(gè)電軌的去耦合電容器組必須在 10ms 內(nèi)完成放電。目標(biāo)是達(dá)成 RC 時(shí)間常數(shù) 8ms 的 3 倍，確保電容器在要求時(shí)間內(nèi)放電到全電壓的 5% 以下。計(jì)算 RC 常數(shù)時(shí)，電容器組的 MOSFET RDS(ON)、寄生線路電阻和 ESR 都必須與電阻器 R2 一同納入考慮。

假設(shè)電容器 ESR 和線路電阻加起來不超過 10m?，去耦合電容器組的總電容值為 15mF，則 RDS(ON) 和 R2 的適當(dāng)值可用下列表達(dá)式求得：

3 x (10mΩ + R2 + (1.5 x RDS(ON))) x 15mF = 8ms

假設(shè) R2 = 50mΩ，功率 MOSFET Q2 的 RDS(ON) 在 VGS = 4.5V 且環(huán)境溫度為 25?C 下必須小于 80mΩ。

選擇 MOSFET 時(shí)，溫度相關(guān)變動(dòng)的效應(yīng)和 RDS(ON) 的批量變異也應(yīng)考慮在內(nèi)。RDS(ON) 在 4.5V 閘極驅(qū)動(dòng)下、超出預(yù)期作業(yè)溫度范圍時(shí)的變異可能高達(dá) 15mΩ。因此最好的做法是，確定 R2 為所選 MOSFET 之制造商指定最大 RDS(ON) 的兩倍左右。